科学导报讯 记者王波 近日，山西转型综改示范区入区企业山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，还研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。
此次12英寸碳化硅衬底的成功研制，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。
未来，烁科晶体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术，持续加大研发投入，充分发挥技术创新引领作用，打造核心竞争优势，从而带动创新链、产业链、生态链的创新与重构，引领行业向更高端化方向发展。