兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉团队与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南·米切尔课题组、上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积了一层氮化硅薄膜，通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层得到氮化硅—铌酸锂异质脊型波导，解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题，并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。该工作有望助力高速、大容量数据通信，并为薄膜铌酸锂平台上有源及无源器件全集成的光子芯片提供新的解决方案。相关研究近日以封面文章形式在线发表于《激光与光子学评论》。
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