新结构提升类脑忆阻器性能

随着人工智能的发展，忆阻器因其“存算一体”的特性被越来越多的研究者关注。近日，河北大学教授闫小兵团队报道了一种全新材料结构。由钛酸钡掺杂低介电系数材料二氧化铈的垂直排列纳米复合（VANs）铁电薄膜作为忆阻介质，他们成功获得了硅基外延铁电薄膜。